高精度ダイシングマシン USMシリーズ

加工例

パワー半導体用SiC,放熱(ヒートシンク)用SiC基板のダイシング

基板全面写真
基板全面写真

被削材:4H - SiC N型 ウェハ
(φ3inch×t0.36 mm)送り速度:30 mm/sec
ブレード:φ2 インチ × t 0.035 mm

基板拡大写真
基板拡大写真

LED用ヒートシンクダイシング

基板全面写真
基板全面写真

被削材:アルミアルマイト
(幅57.5 長さ79 厚さ1.025 mm)
ダイシングピッチ:3.205 × 5.825 mm
ブレード:φ2 インチ × t 0.3 mm

基板拡大写真
基板拡大写真

光通信コネクタ用V溝加工

光通信コネクタ用V溝加工
光通信コネクタ用V溝加工

被削材:石英,パイレックス
V溝:70度 48溝/コネクタ1個
基板1枚当たりのコネクタ数:10個×4列=40個

光通信コネクタ用V溝加工
光通信コネクタ用V溝加工

超硬合金の溝入れ加工

全面写真
全面写真

被削材:超硬合金(90HRA)
溝:幅 0.06 mm 深さ 0.5 mm ピッチ 0.12mm
加工パス数:1パス

断面写真
断面写真

セラミックスの溝入れ加工

全面写真
全面写真

被削材:アルミナセラミックス
溝:幅 0.1 mm 深さ 1 mm ピッチ 0.3mm
加工パス数:1パス

断面写真
断面写真

樹脂材の溝入れ加工

全面写真
全面写真

被削材:べスペル®(全芳香族ポリイミド樹脂)
溝:幅 0.05 mm 深さ0.5 mm ピッチ 0.1mm
加工パス数:1パス
(べスペル®はデュポン社の登録商標です)

断面写真
断面写真

光導波路用銅箔の切断加工

全面写真
全面写真

被削材:銅箔 厚さ 0.1mm
ダイヤモンドバイト:先端角度44度
ドライ切削

断面写真
断面写真

PAGE TOP